Очаква се глобалният пазар на полупроводникови лазери да надхвърли 8,8 милиарда долара до 2023 г.

Sep 08, 2023 Остави съобщение

Очаква се оценката да достигне 15,7 милиарда долара през 2023 г. Пазарът ще расте с общ годишен темп на растеж от 5,9 процента от 2023 до 2033 г.

Поради широкото използване на потребителски електронни продукти като смартфони, таблети, лаптопи и системи за игри, търсенето на полупроводникови лазери непрекъснато нараства. Този тип лазер се прилага в различни технически области, включително оптично съхранение на данни, разпознаване на жестове, 3D сензори и дисплеи. С непрекъснатото усъвършенстване на потребителското оборудване се очаква полупроводниковата лазерна технология да бъде от решаващо значение за насърчаването на нови характеристики и функции.

По отношение на енергийната ефективност полупроводниковите лазери са по-ефективни от традиционните източници на светлина. Освен че има по-дълъг живот и генерира по-малко топлина, той също така консумира по-малко електроенергия. С нарастващата тежест на енергийната ефективност и екологичните проблеми, стойността на полупроводниковите лазери в сравнение с традиционните източници на светлина се увеличава, което стимулира растежа на пазара.

Поради непрекъснатото развитие на тенденциите за миниатюризация и интеграция в различни области, има голямо търсене на по-малки, по-компактни и по-ефективни полупроводникови лазери. Този тип лазер е подходящ за приложения с ограничено пространство и може да се интегрира в малки системи и устройства, като електронни продукти за носене, мобилни телефони и преносими електронни продукти. По същество нарастващото търсене на продукти за потребителска електроника може да насърчи растежа на пазара.

Благодарение на бързото развитие на технологията на материалите, особено в полупроводниковите материали и методите за епитаксиален растеж, сега имаме достъп до нови видове лазери с още по-добри възможности за работа. Например, високопроизводителни полупроводникови лазери, работещи на множество дължини на вълната, могат да бъдат разработени чрез използване на съставни полупроводникови материали като галиев арсенид (GaAs) и индиев фосфид (InP). Очаква се напредъкът на тази материална технология да насърчи растежа на пазара през прогнозния период.